韩国工业技能研究所及浦项科技年夜学科学家开发出一项新工艺，能不变重叠10余片超薄半导体芯片，由此实现了约4倍在商用高带宽存储器（HBM）的集成密度。这一冲破有望减缓人工智能（AI）面对的存储瓶颈。相干论文发表在新一期《工程结果》杂志。

以ChatGPT、图象天生AI及主动驾驶为代表的AI办事有一个配合要求：必需以极高速率处置惩罚海量数据。为晋升AI芯片的机能，科学家再也不一味横向铺展芯片，而是让其垂直重叠，就像都会用地紧张时，以摩天年夜楼代替独栋衡宇同样。HBM恰是经由过程垂直重叠多个存储芯片构建而成。

然而，重叠超薄芯单方面临极浩劫题。当芯片厚度减至数十微米，变患上比头发丝还有细时，多层重叠便极易诱发弯曲、翘曲甚至断裂。跟着层数增长，重叠难度显著晋升。

为冲破上述局限，团队将转移印刷与原位黏合两种技能交融于统一个工艺平台上。转移印刷卖力将芯片精准放置到方针位置；原位黏合则使芯片于转移历程中同步完成键合。这一集成要领使芯片的转移、放置及电气互联趁热打铁。

为验证新工艺，团队制备了厚度约14微米的超薄硅芯片，每一片都集成垂直电旌旗灯号路径及横向再分配布线，这类布局极为合适多层集成。使用该工艺，于低温（低在180℃）及低压（低在2万帕斯卡）的暖和前提下，乐成重叠了10余片超薄芯片。成果显示，即便屡次重叠以后，层间瞄准偏差依然极小，布局翘曲也被显著按捺，所患上的集成密度（总封装厚度）内可重叠的芯片层数约是传统12层HBM布局的4倍。换句话说，于一样垂直高度内，可以或许容纳数倍在以往的芯片。

这项技能一旦贸易化，将极年夜晋升给定空间内的芯片集成度，从而显著加强AI半导体的机能，是以有望成为将来高机能AI芯片与下一代存储体系的要害技能。此外，该技能还有可拓展至基在小芯片的异构集成及下一代微型LED显示器，揭示出广漠的运用远景。